據(jù)知名市場研究機(jī)構(gòu)IC Insights的最新報告,全球半導(dǎo)體已安裝總產(chǎn)能(installed capacity),今年將達(dá)到2.636億片8英寸約當(dāng)晶圓,同比增長8.7%,創(chuàng)下歷史新高。
今年半導(dǎo)體產(chǎn)能的提升,主要得力于SK Hynix和Winbond新建的大型內(nèi)存工廠,以及臺積電的積極擴(kuò)產(chǎn),包括兩座5nm和3nm先進(jìn)工藝的產(chǎn)能增長,和位于南京的28nm工藝產(chǎn)能擴(kuò)充。臺積電今年預(yù)估資本開支超過400億美元。
過去5年,全球半導(dǎo)體產(chǎn)能年增長率從2016年的4.0%提升到2021年的8.5%。
盡管面臨通脹壓力、持續(xù)的供應(yīng)鏈問題和其他經(jīng)濟(jì)困難,IC Insights仍然預(yù)計,半導(dǎo)體需求十分強(qiáng)勁,今年出貨量將同比增長9.2%。即使今年有10座新的晶圓廠投入使用,今年產(chǎn)能利用率可以達(dá)到93%的高位,略低于2021年的93.8%。
IC Insights的歷史統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示,半導(dǎo)體產(chǎn)能增速呈現(xiàn)一定的周期性,在2002年出現(xiàn)首次負(fù)增長,2009年出現(xiàn)較大幅度負(fù)增長(-6%),隨后進(jìn)入景氣時期,一直延續(xù)至今。前兩次負(fù)增長,一是互聯(lián)網(wǎng)泡沫危機(jī)剛結(jié)束,一是全球金融危機(jī)。
轉(zhuǎn)自:C114通信網(wǎng)
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