1月9日，英特爾與美光公司宣布，雙方將在完成第三代3DNAND技術(shù)研發(fā)之后，各自獨立開發(fā)3DNAND閃存芯片。這意味著屆時在存儲器領域兩者維持多年的合作關(guān)系亦將隨之結(jié)束。消息傳出不久，即有中國臺灣地區(qū)媒體預期英特爾在3DNAND布局押寶中國大陸市場，后續(xù)不排除以技術(shù)授權(quán)等方式攜手紫光集團。盡管這一預測其后并未得到任何證實，卻反映出業(yè)界對于紫光集團發(fā)展存儲芯片事業(yè)的關(guān)注。2018年對于紫光集團來說，正是其全面發(fā)力存儲芯片事業(yè)的最為關(guān)鍵一年，攻堅克難在此一舉！
（圖片來源：互聯(lián)網(wǎng)） 產(chǎn)業(yè)布局已全面鋪開
2018新年伊始，位于四川成都天府新區(qū)的紫光IC國際城項目便已傳出消息，項目建設正式啟動。紫光集團董事長趙偉國在致辭中表示，此次啟動的天府新區(qū)紫光IC國際城項目是紫光集團在芯片制造領域的三大布局之一。項目全部建成后，除了實現(xiàn)月產(chǎn)30萬片12英寸3DNAND晶圓外，還將涵蓋從設計到封測的芯片相關(guān)業(yè)務，并包括紫光集團“從芯到云”的完整產(chǎn)業(yè)鏈。整個項目未來十年總投資會超過2000億元。
趙偉國提到的紫光在存儲芯片的三大布局是指武漢長江存儲建設的國家存儲器基地、南京建設的紫光IC國際城，以及此次啟動的天府新區(qū)紫光IC國際城項目。目前為止，長江存儲進展最快，一期工廠已經(jīng)竣工，預計將于2018年投入使用，項目一期達產(chǎn)后，總產(chǎn)能將達到30萬片/月，年產(chǎn)值將超過100億美元。南京項目也已進入實質(zhì)性啟動階段。
2017年11月項目啟動，投資300億美元打造半導體產(chǎn)業(yè)基地，并投資300億元進行紫光IC國際城項目建設，主要生產(chǎn)3DNAND和DRAM芯片；基地一期正式達產(chǎn)后，將月產(chǎn)10萬片，預計年產(chǎn)值達48億美元；二期正式達產(chǎn)后，月產(chǎn)20萬片，預計年產(chǎn)值達100億美元。
針對2017至2018年度公司如此密集地展開產(chǎn)業(yè)布局，趙偉國表示，存儲芯片產(chǎn)業(yè)必須有規(guī)模，建設三大基地就是為了追求規(guī)模效應，未來三大基地將在研發(fā)和生產(chǎn)、市場、銷售上協(xié)調(diào)一致行動。其實，除了產(chǎn)業(yè)基地的建設之外，紫光在存儲芯片產(chǎn)業(yè)鏈上也進行了相應布局。目前紫光在存儲領域的布局，包括存儲芯片的制造、封測和SSD，基本是一個完整的產(chǎn)業(yè)鏈。最新進展包括武漢、南京、成都存儲芯片工廠建設順利，研發(fā)進展正常，上海宏茂的存儲芯片封測項目正在進行中，蘇州的SSD工廠已開工建設。
然而，紫光在存儲芯片上產(chǎn)業(yè)布局全面鋪開的同時，挑戰(zhàn)也將如影而至。眾所周知，全球存儲市場幾乎被三星、海力士、美光、東芝、西部數(shù)據(jù)等五家廠商瓜分，中國在此領域基本處于空白。Gartner半導體分析師盛陵海此前在接受記者采訪時指出：“紫光是中國發(fā)展半導體業(yè)領頭羊之一，但要真的成為全球一線存儲器制造商，前方困難還非常多。”
具體來看，紫光面臨的挑戰(zhàn)可以歸結(jié)為三個方面：專利技術(shù)、資金和市場。
專利技術(shù)：還要立足自主研發(fā)
2017年12月4日，美光公司根據(jù)“保護營業(yè)秘密法”（Defend Trade SecretsAct），以及“反勒索及受賄組織法”（Racketeer Influencedand Corrupt Organization Act），在美國加州北部聯(lián)邦法庭提起民事訴訟申請，狀告代工廠聯(lián)華電子（UMC）和福建晉華盜竊其商業(yè)機密等不當行為。此案立即引起業(yè)界廣泛關(guān)注。ICInsights總裁兼執(zhí)行長BillMcClean在接受媒體采訪時表示：“我不知道他們要如何在不碰觸三星、海力士和美光所擁有的專利下生產(chǎn)記憶體片。”臺灣南亞科總經(jīng)理李培瑛也認為，中國企業(yè)若沒拿到技術(shù)授權(quán)，很難做出有競爭力的產(chǎn)品。
這或許就是在英特爾剛剛宣布未來將結(jié)束與美光合作關(guān)系之后，就有人猜測英特爾將與紫光在3DNAND上展開合作的原因。業(yè)界普遍對中國企業(yè)能自主開發(fā)（且不違反專利）存儲芯片沒有信心。
此前，英特爾與紫光集團在通信芯片上已有合作，似乎并不排除兩家公司將合作進一步擴展的可能性，但沒有進一步印證相關(guān)猜測的消息傳出。而就目前情況來看，紫光在存儲芯片上的發(fā)展應是立足自主研發(fā)為主。相關(guān)消息顯示，在3DNAND閃存方面，長江存儲已經(jīng)研發(fā)出了32層64G的完全自主知識產(chǎn)權(quán)的3DNAND芯片，2018年將可實現(xiàn)量產(chǎn)。在DRAM方面，紫光國芯，前身是成立于2001年的晶源電子，是國內(nèi)壓電晶體元器件領域的領軍企業(yè)，2015年紫光集團成為紫光國芯的控股股東后，將由原奇夢達科技（西安）有限公司改制重建基礎上發(fā)展起來的西安紫光國芯半導體有限公司置入其中。原奇夢達科技（西安）有限公司是歐洲存儲器公司奇夢達（后被收購）在中國設立的設計中心，具有存儲器芯片的開發(fā)設計能力。目前其在DRAM存儲器芯片方面已經(jīng)形成較為完整的系列，產(chǎn)品接口覆蓋SDR、DDR、DDR2和DDR3DRAM，并開發(fā)出相關(guān)的內(nèi)存模組產(chǎn)品。此前，紫光國芯面臨的最大挑戰(zhàn)是缺少晶圓廠的支持。隨著紫光集團大力布局存儲芯片制造基地，已經(jīng)形成相對完整的產(chǎn)業(yè)鏈，立足自主開發(fā)存儲器并非不可能。
10年1000億美元的投資多嗎？
資金問題是外界質(zhì)疑紫光存儲器事業(yè)的另一重點。長江存儲總投資超過240億美元（預計最終全部投資280億美元），四川成都天府新區(qū)紫光IC國際城項目總投資超過2000億元，南京項目總投資300億美元。也就是說，紫光陸續(xù)規(guī)劃在武漢、成都、南京的投資近1000億美元。
對此，趙偉國在接受媒體采訪時指出：“之所以規(guī)劃了10年1000億美元的投資，是因為這個行業(yè)具有以下特點：資本密集、人才密集、技術(shù)密集、全球競爭，芯片制造不僅是高端制造，而且是尖端制造。10年1000億美元的投資，平均每年也就是100億美元，英特爾、臺積電、三星每年在芯片制造上的資本開支，每家都超過了100億美元。因此達不到每年100億美元的投資規(guī)模，根本就進入不了全球芯片制造的第一集團。”
然而，如此海量的資金，紫光又將如何籌措呢？除了國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金和國開行、中國進出口銀行等金融機構(gòu)的支持外，紫光也在多方籌措資金，包括設立各種基金，與地方政府聯(lián)合投資，在資本層面合作等。此外，趙偉國還提出了設立“中國集成電路股份有限公司”的設想。研究三星的發(fā)展可以發(fā)現(xiàn)，三星是一個科技資本財團，芯片業(yè)務只是三星的一部分業(yè)務，三星的金融和其他實業(yè)為芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，提供了巨額資金。紫光要借鑒三星的發(fā)展，成為一個以芯片和云網(wǎng)為主導業(yè)務的綜合性科技財團，這樣紫光才有可能完成振興中國集成電路產(chǎn)業(yè)的大業(yè)。
“板凳要坐十年冷”的心理準備
紫光存儲事業(yè)未來面臨最大的挑戰(zhàn)是“市場關(guān)”。存儲器是一個高投入、高風險、高壁壘的戰(zhàn)場，當年三星為了發(fā)展內(nèi)存芯片事業(yè)連續(xù)忍受13年的虧損，才最終實現(xiàn)盈利。這意味著，紫光發(fā)展存儲事業(yè)的初期也很有可能面臨一段長時期的虧損局面。
從當前市場競爭態(tài)勢來看，東芝與西部數(shù)據(jù)在2017年經(jīng)歷了長時間的法律訴訟與合資爭議之后，已于2017年12月13日達成和解，協(xié)議包括雙方延展合資關(guān)系至2029年，并確保西部數(shù)據(jù)在Fab6工廠中能夠參與投資，確保了西部數(shù)據(jù)可以繼續(xù)參與96層以后3DNANDFlash的競爭。東芝隨即在12月21日宣布Fab7的興建計劃。集邦咨詢半導體研究中心指出，隨著東芝、三星、英特爾、長江存儲等都將擴增NANDFlash產(chǎn)能，對NAND閃存產(chǎn)業(yè)的影響將在2019年轉(zhuǎn)趨明顯，整體產(chǎn)業(yè)可望呈現(xiàn)供過于求的狀況。
集邦咨詢半導體研究中心表示，觀察中國大陸在NAND閃存領域的發(fā)展，以紫光集團旗下的長江存儲為中國最快成軍的開發(fā)廠商。由于長江存儲開發(fā)早期技術(shù)力不足，難以與一線大廠相抗衡，預估其初期產(chǎn)品會以卡碟類為大宗。隨著長江存儲技術(shù)發(fā)展來到64/96層，才有機會進軍SSD市場，但此市場技術(shù)競爭相當激烈，短期會難以在成本上取得優(yōu)勢。
可見，量產(chǎn)初期的市場挑戰(zhàn)將是紫光在存儲器上的最大挑戰(zhàn)。在加快技術(shù)開發(fā)的同時，只有拿出足夠的耐心與堅持。這方面，趙偉國在有著清醒的認識。“目前在主流存儲芯片產(chǎn)品領域，中國完全是空白，在長江存儲項目之前，不是縮短差距的問題，原來是零，所以和國際巨頭的距離是無限遠，我想有五年的時間，我們可以站穩(wěn)腳跟，再有五年，應該有相當?shù)某删停砸?lsquo;板凳要坐十年冷’的心理準備和戰(zhàn)略耐力。”趙偉國說。（記者 陳炳欣）
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