半導體線寬測量首個ISO國際標準出爐，中國科大主導制定

　　近日，國際標準化組織（ISO）正式發(fā)布了微束分析領域中的一項國際標準“基于測長掃描電鏡的關鍵尺寸評測方法”。

　　據(jù)悉，該標準是半導體線寬測量方面的首個國際標準，也是半導體檢測領域由中國主導制定的首個國際標準。由中國科學技術大學物理學院和微尺度物質科學國家研究中心的丁澤軍團隊主導制定。

　　芯片上的物理尺寸特征被稱為特征尺寸，其中最小的特征尺寸稱為關鍵尺寸（CD），其大小代表了半導體制造工藝的復雜性水平。對CD測量也可稱為納米尺度線寬測量，目前半導體的刻蝕線寬已經(jīng)降到10 nm以下，其測量的精準性直接決定著器件的性能。

　　測長掃描電鏡（CD-SEM）是半導體工業(yè)生產(chǎn)中進行實時監(jiān)控與線寬測量的最為簡便和高效的方法。然而，由于掃描電鏡的二次電子信號發(fā)射在線寬邊沿處的加強效應，納米級線寬的CD-SEM圖像的解析需要建立高精準算法。

　　據(jù)中國科大官方消息，與傳統(tǒng)的經(jīng)驗閾值方法相比，丁澤軍團隊的測量方法能夠給出準確的CD值，并且把線寬測量從單一參數(shù)擴展到包含結構形貌特征的信息，適用于如晶圓上的柵極、光掩模、尺寸小至10 nm的單個孤立的或密集的線條特征圖案，這不僅為半導體刻蝕線寬的CD-SEM準確評測確定了行業(yè)標準，也為一般性納米級尺寸的其它測量法提供了參考。

　　轉自：集微網(wǎng)

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