中國三大存儲器陣營預(yù)計將在今年下半年試產(chǎn)

　　集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心（DRAMeXchange）指出，中國存儲器產(chǎn)業(yè)目前以投入NAND Flash市場的長江存儲、專注于行動式內(nèi)存的合肥長鑫，以及晉華集成三大陣營為主。以目前三家廠商的進度來看，其試產(chǎn)時間預(yù)計將在2018年下半年。由于三大陣營量產(chǎn)的時間可能皆落在2019年上半年，因此，2019年或?qū)⒊蔀橹袊鎯ζ魃a(chǎn)元年。

　　DRAMeXchange指出，從三大廠目前布局進度來看，合肥長鑫的廠房已于去年6月封頂完工，去年第三季度開始移入測試用機臺。合肥長鑫目前進度與晉華集成差別不大，試產(chǎn)時間將會落于今年第三季度，量產(chǎn)時間則暫定在2019年的上半年，較預(yù)期落后。此外，由于合肥長鑫直攻三大DRAM廠最重要產(chǎn)品之一的LPDDR4 8Gb，后期面臨專利爭議的可能性也較高，為了避免這一狀況，除了積極累積專利權(quán)外，中國銷售市場在初期的重要性也不能忽視。

　　反觀晉華集成，在2016年7月宣布在福建省晉江市建12英寸廠，投資金額約53億美元，以目前進度來看，其內(nèi)存的試產(chǎn)延后至今年第三季度，量產(chǎn)也將始于明年上半年。

　　此外，從中國廠商NAND Flash的發(fā)展進程來看，2016年12月底，由長江存儲主導(dǎo)的國家存儲器基地正式動土，官方預(yù)期分三階段，共建立三座3D—NAND Flash廠房。第一階段廠房已于去年9月完成興建，預(yù)定2018年第三季開始移入機臺，并于第四季進行試產(chǎn)，初期投片不超過1萬片，用于生產(chǎn)32層3D—NAND Flash產(chǎn)品，并預(yù)計在64層技術(shù)成熟后，擬定第二、三期生產(chǎn)計劃。

　　集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心指出，根據(jù)中國存儲器廠商的研發(fā)與產(chǎn)出計劃，2019年將是中國存儲器產(chǎn)業(yè)的生產(chǎn)元年，但也由于兩家DRAM廠預(yù)估初期量產(chǎn)規(guī)模不大，短期尚不會撼動全球市場現(xiàn)有格局。

　　轉(zhuǎn)自：中國電子報

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