東方晶源深耕電子束量測檢測核心技術(shù) “三箭齊發(fā)”新一代EOS上“機”

　　電子束量測檢測設(shè)備是芯片制造裝備中除光刻機之外技術(shù)難度最高的設(shè)備類別之一，深度參與光刻環(huán)節(jié)、對制程節(jié)點敏感并且對最終產(chǎn)線良率起到至關(guān)重要的作用。其最為核心的模塊為電子光學系統(tǒng)（Electron Optical System，簡稱EOS），決定設(shè)備的成像精度和質(zhì)量， 進而決定設(shè)備的性能。

　　作為電子束量測檢測領(lǐng)域的先行者、領(lǐng)跑者，東方晶源始終堅持自主研發(fā)，不斷深化研發(fā)投入、加速技術(shù)創(chuàng)新步伐，致力于為客戶帶來更加卓越的產(chǎn)品。日前，東方晶源自主研發(fā)的新一代EOS“三箭齊發(fā)”，取得突破性成果，成功搭載到旗下電子束缺陷復檢設(shè)備（DR-SEM）、關(guān)鍵尺寸量測設(shè)備（CD-SEM）、電子束缺陷檢測設(shè)備（EBI），率先實現(xiàn)國產(chǎn)EOS在高端量測檢測領(lǐng)域的應用，助力產(chǎn)品性能實現(xiàn)進一步攀升的同時，為國產(chǎn)電子束量測檢測技術(shù)的發(fā)展進一步夯實了基礎(chǔ)。

　　新一代DR-SEM EOS：多場景 高精度

　　DR-SEM是一款基于超高分辨率電子束成像技術(shù)對缺陷進行復檢分析的設(shè)備，包括形貌分析、成分分析等，因此其搭載的EOS需要高分辨、高速的自動化復檢能力，并提供多樣化的信號表征手段。

　　東方晶源新一代DR-SEM EOS采用適配自研多通道高速探測器、支持多信號類型分析檢測的電子光學設(shè)計方案，兼容EDX成分分析功能，能夠覆蓋廣泛的缺陷復檢應用場景。此外，新一代DR-SEM EOS搭配高精度定位技術(shù)，檢測精度和速度可以匹配業(yè)界主流水準。

　　新一代CD-SEM EOS：高精度 高速度

　　CD-SEM作為產(chǎn)線量測的基準設(shè)備，對EOS的核心技術(shù)需求在于高分辨、高產(chǎn)能（Throughput）和高穩(wěn)定性。東方晶源新一代CD-SEM EOS為實現(xiàn)高成像分辨率和高量測精度，采用球色差優(yōu)化的物鏡、像差補償技術(shù)、自動校正技術(shù)等新方案，目前已達到業(yè)界一流水平。同時，自研探測器針對頻響和信噪比優(yōu)化，支持快速圖像采集，結(jié)合高速AFC技術(shù)，可以在不損失精度的情況下大幅提升量測產(chǎn)能。新的技術(shù)方案確保了更穩(wěn)定、一致的產(chǎn)品表現(xiàn)。通過上述各方面的技術(shù)突破，新一代CD-SEM EOS在性能和穩(wěn)定性上取得大幅提升。

　　新一代EBI EOS：多場景 高速度

　　針對國內(nèi)領(lǐng)先的邏輯與存儲客戶產(chǎn)線檢測需求，EBI EOS要在保證檢測精度的前提下，重點提升檢測速度。東方晶源最新研發(fā)的EBI EOS通過四大技術(shù)手段在檢測精度和速度上進行了顯著的優(yōu)化與提升。（1）超大束流的電子束預掃描技術(shù)和大范圍電子產(chǎn)率調(diào)節(jié)技術(shù)，滿足不同產(chǎn)品多樣化檢測需求；（2）兼容步進式和連續(xù)式掃描模式，提供具有競爭力的產(chǎn)能指標；（3）采用業(yè)界領(lǐng)先的高速大束流檢測方案，采樣速率達到行業(yè)先進水平；（4）浸沒式電子槍，支持更大的束流調(diào)節(jié)范圍。

　　隨著半導體工藝水平的飛速發(fā)展，電子束在線量測檢測越來越重要，設(shè)備的產(chǎn)能必須有質(zhì)的飛躍才能滿足這一需求。更高的成像速率或多電子束并行檢測技術(shù)就是業(yè)界競相攻克的焦點。東方晶源在高速成像和多電子束技術(shù)均已取得重要突破，實現(xiàn)了相關(guān)技術(shù)的原理驗證。未來，東方晶源將不斷進行技術(shù)深耕，將關(guān)鍵核心技術(shù)牢牢掌握在自己手中，以更加卓越的技術(shù)和產(chǎn)品引領(lǐng)電子束量測檢測領(lǐng)域的發(fā)展，解決客戶痛點問題，為我國集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展和進步貢獻更多力量。

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