11月9日,英諾賽科(珠海)科技有限公司自主研發(fā)的中國首條8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)線在珠海正式通線投產(chǎn)。
氮化鎵又被稱作第三代半導體,是當今世界上最具潛力的半導體材料之一,被預言將會在不久的未來改變世界。硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)早在20年前就開始在歐洲和美國等地發(fā)展,在中國才剛起步。英諾賽科(珠海)科技有限公司擁有世界領(lǐng)先的8英寸硅基氮化鎵外延技術(shù),突破了低翹曲度、低缺陷及位錯密度、低漏電晶圓制造的全球性挑戰(zhàn),將碎片率大幅降至1%以下。經(jīng)過兩年的努力,該公司已建成中國首條完整8英寸硅基氮化鎵外延與芯片量產(chǎn)生產(chǎn)線,主要產(chǎn)品包括100V~650V氮化鎵功率器件,設(shè)計及性能均達到國際先進水平,將廣泛應用于電力電子、新能源、電動汽車、信息與通信和智能工業(yè)等領(lǐng)域。
“建設(shè)一個自主可控、安全的生產(chǎn)體系,這是半導體行業(yè)、信息產(chǎn)業(yè)的責任。企業(yè)只有建立起自己的研發(fā)體系、人才體系,這樣才能不斷進步,不斷領(lǐng)先。”中國半導體行業(yè)協(xié)會執(zhí)行副理事長兼秘書長徐小田表示。多名業(yè)內(nèi)專家在生產(chǎn)線投產(chǎn)后舉行的研討會上談到,氮化鎵產(chǎn)業(yè)已經(jīng)到了爆發(fā)前夜,在8英寸硅基氮化鎵晶圓產(chǎn)業(yè)化上取得重大突破,為今后該領(lǐng)域的發(fā)展奠定了良好基礎(chǔ),必將為中國在半導體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)“換道超車”作出重要貢獻。珠海高新區(qū)相關(guān)負責人高度贊揚了英諾賽科公司一年來的高速成長及取得的卓越成績,并勉勵公司利用國際領(lǐng)先的核心技術(shù)、抓住機遇、搶占先機,解決我國半導體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)瓶頸,帶動上下游產(chǎn)業(yè)發(fā)展,助力我國半導體產(chǎn)業(yè)和先進制造業(yè)的崛起。(崔文)
轉(zhuǎn)自:中國工業(yè)報
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