近日，中科院發(fā)布通告宣布，該院蘇州納米所通過揭示銅基表面化學氣相沉積法（CVD）調控機理，幫助構建靜態(tài)常壓CVD（SAPCVD）系統(tǒng)，實現(xiàn)了快速批量制備石墨烯，在該研究領域取得較大進展。
石墨烯快速批量制備是石墨烯相關研究領域的重要研究方向。由于在半導體工業(yè)中具有良好的集成兼容性以及低廉的成本優(yōu)勢，CVD方法被認為是最有潛力實現(xiàn)大規(guī)模制備高質量石墨烯的方法。通過近10年的努力，銅基CVD法已經分別在大批量、高質量和快速制備3個方向取得了一系列的突破進展。
然而，銅襯底和石墨烯晶格的失匹配，傳統(tǒng)CVD方法的低碳源濃度和流阻導致的石墨烯生長不均勻，使得同時實現(xiàn)快速、大批量和高質量制備石墨烯，仍然是一個不小的挑戰(zhàn)。
為此，中科院蘇州納米所研究員劉立偉課題組和蘇州格瑞豐納米科技有限公司合作，首先對銅襯底進行晶向調控，揭示了氧化層對銅襯底晶向的調控作用和機制。
基于上述研究成果，該團隊通過構建一個基于分子熱運動的靜態(tài)常壓CVD(SAPCVD)系統(tǒng)，實現(xiàn)了快速批量制備高質量石墨烯。實驗結果證明，SAPCVD系統(tǒng)能夠同時在20層銅襯底上批量化制備光學均勻的石墨烯，其生長速率達到1.5μm/s。通過調控石墨烯和銅襯底的晶格失匹配，石墨烯的晶界密度得到有效抑制。（仲科）
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