武漢新芯宣布取得三維數(shù)據(jù)型閃存技術(shù)重大突破

武漢新芯近日宣布，其正在進(jìn)行的三維數(shù)據(jù)型閃存項(xiàng)目已在研發(fā)上取得重大突破。通過研發(fā)團(tuán)隊(duì)半年時(shí)間的努力，第一個(gè)具有9層結(jié)構(gòu)的三維存儲(chǔ)器芯片下線，并一次性通過了存儲(chǔ)器基本功能的電學(xué)驗(yàn)證，標(biāo)志著武漢新芯已成為世界少有擁有此項(xiàng)技術(shù)的公司之一，也表示我國(guó)集成電路制造業(yè)迎來了新發(fā)展。

三維數(shù)據(jù)型存儲(chǔ)技術(shù)是國(guó)際上各大存儲(chǔ)企業(yè)研發(fā)的核心方向。其技術(shù)難度高，目前全球僅有一家公司成功實(shí)現(xiàn)3D-NAND存儲(chǔ)器量產(chǎn)，其他存儲(chǔ)器企業(yè)仍處于研發(fā)階段。三維數(shù)據(jù)型閃存技術(shù)是通過在硅片表面垂直疊加幾十個(gè)或更多的電荷存儲(chǔ)層，來提高單顆芯片的存儲(chǔ)密度?，F(xiàn)有芯片內(nèi)布置存儲(chǔ)單元大都是平鋪，雖然面積越做越小，但總會(huì)遇到極限，而三維技術(shù)如同蓋高樓，同樣的面積下，可以提供更大的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)空間。

據(jù)悉，三維數(shù)據(jù)型閃存芯片可廣泛應(yīng)用于手機(jī)、電腦等電子產(chǎn)品，將是固態(tài)硬盤的主要元件。固態(tài)硬盤可用于各種便攜存儲(chǔ)設(shè)備，能隨時(shí)存儲(chǔ)任何格式的數(shù)據(jù)文件資料，被譽(yù)為個(gè)人的“數(shù)據(jù)移動(dòng)中心”，具有廣闊的市場(chǎng)前景。

武漢新芯三維數(shù)據(jù)型閃存研發(fā)團(tuán)隊(duì)組建于2014年8月，第一階段開發(fā)9層的三維NAND存儲(chǔ)器原型陣列，于2014年Q4完成了版圖設(shè)計(jì)和工藝流程搭建，于2015年5月完成工藝制程開發(fā)及測(cè)試驗(yàn)證，首次流片即告成功，在預(yù)計(jì)時(shí)間節(jié)點(diǎn)完成所有研發(fā)過程。（陳炳欣）

來源：中國(guó)電子報(bào)

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