2019年中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模將逾2900億元

　　近日，全球市場研究機(jī)構(gòu)集邦咨詢在最新的《中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)深度分析報(bào)告》中指出，受益于新能源汽車、工業(yè)控制等終端市場需求大量增加，MOSFET、IGBT等多種產(chǎn)品持續(xù)缺貨和漲價(jià)，帶動了2018年中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模大幅成長12.76%，至2591億元。其中功率分立器件市場規(guī)模為1874億元，電源管理IC市場規(guī)模為717億元。

　　集邦咨詢分析師謝瑞峰指出，功率半導(dǎo)體作為需求驅(qū)動型的產(chǎn)業(yè)，2019年景氣仍然持續(xù)向上。雖然仍受到全球貿(mào)易不穩(wěn)定等因素影響，但在需求驅(qū)動下，受影響程度要小于其他IC產(chǎn)品。集邦咨詢預(yù)估，2019年中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模將達(dá)到2907億元，較2018年成長12.17%，維持雙位數(shù)的成長表現(xiàn)。

　　受益于政策推動和缺貨漲價(jià)的狀況，2018年多家中國大陸功率半導(dǎo)體廠商取得亮眼的成績，并擴(kuò)大布局。其中，比亞迪微電子憑借擁有終端的優(yōu)勢，在車用IGBT市場快速崛起，取得中國大陸車用IGBT市場超過兩成的市占率，一躍成為中國大陸銷售額前三的IGBT供應(yīng)商；MOSFET廠商華微電子和揚(yáng)杰科技營收大增，并且逐漸導(dǎo)入IGBT市場。

　　新建與規(guī)劃中的IGBT產(chǎn)線有士蘭微廈門12英寸特色工藝產(chǎn)線、華潤微電子在重慶建設(shè)的12英寸特色工藝產(chǎn)線，以及積塔半導(dǎo)體專業(yè)汽車級IGBT產(chǎn)線等。同時(shí)，多家廠商也投入研發(fā)SiC等新材料技術(shù)領(lǐng)域，基本半導(dǎo)體的SiC MOSFET已進(jìn)入量產(chǎn)上市，而定位為代工的三安光電SiC產(chǎn)線已開始接單，比亞迪微電子也已研發(fā)成功SiC MOSFET，其目標(biāo)是到2023年實(shí)現(xiàn)SiC MOSFET對硅基IGBT的全面替代。

　　轉(zhuǎn)自：中國電子報(bào)

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