韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有望由虧轉(zhuǎn)盈

　　自2021年三季度開始，全球存儲半導(dǎo)體成品價格出現(xiàn)了一輪長達兩年的下滑，三星電子、SK海力士等韓國半導(dǎo)體企業(yè)相繼陷入困境，其中三星電子半導(dǎo)體業(yè)務(wù)今年虧損額甚至預(yù)計將超過10萬億韓元（1元人民幣約合180韓元）。但隨著相關(guān)企業(yè)積極采取限產(chǎn)措施，推進產(chǎn)品更新?lián)Q代，半導(dǎo)體市場已出現(xiàn)好轉(zhuǎn)跡象。外界普遍預(yù)測，韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將在明年初迎來由虧轉(zhuǎn)盈的拐點。

　　據(jù)半導(dǎo)體市場調(diào)查企業(yè)DRAM Exchange透露,電腦用DRAM內(nèi)存條通用產(chǎn)品（DDR4 8Gb）的固定交易價格在2021年7月一度飆升至4.10美元，但去年3月已跌至3.41美元，此后持續(xù)下跌。今年9月，該產(chǎn)品的固定交易價格（固定交易價格是用于企業(yè)間交易的價格，被認為是了解行業(yè)情況的重要指標）僅為1.30美元，相比前年高點下跌近70%。

　　NAND閃存產(chǎn)品相比DRAM具有更好的價格防御性，但也無法獨善其身。據(jù)了解，128G存儲卡通用產(chǎn)品的固定交易價格在2021年7月上升到4.81美元，但以今年9月為基準的交易價格已跌至3.82美元，這一數(shù)值與高點相比下降了20%以上。

　　如此大幅度的價格變化同樣也反映在三星電子和SK海力士的業(yè)績報表中。三季度業(yè)績報告顯示，三星電子負責(zé)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的設(shè)備解決方案（DS）部門銷售額為16.44萬億韓元，營業(yè)損失為3.75萬億韓元，大部分虧損都發(fā)生在存儲半導(dǎo)體業(yè)務(wù)上。SK海力士第三季度的銷售額為9.07萬億韓元，營業(yè)損失為1.79萬億韓元，與去年同期相比，銷售額減少了17%，利潤也是由正轉(zhuǎn)負。

　　雖然兩家企業(yè)都出現(xiàn)了數(shù)萬億韓元的赤字，但與前兩個季度的虧損不同，市場對未來半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的走向卻偏向樂觀，并認為兩家企業(yè)即將迎來曙光。

　　首先，市場普遍預(yù)測，存儲半導(dǎo)體價格將重新進入上漲周期。市場調(diào)查企業(yè)Trend Force表示，移動終端用DRAM的四季度合約價格將上漲13%至18%，NAND價格也有望上漲15%，而且這種上升趨勢至少持續(xù)到明年一季度。韓國媒體認為，三星電子的大幅減產(chǎn)和美光的價格上調(diào)為整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對價格上漲趨勢的確認奠定了基礎(chǔ)。

　　其次，企業(yè)積極推出高附加值存儲半導(dǎo)體產(chǎn)品也提升了市場的期待。以高帶寬存儲器（HBM）為例，隨著人工智能（AI）服務(wù)器出貨量的增加，對HBM產(chǎn)品的需求也在快速增長。HBM的價格最高可達普通DRAM產(chǎn)品的7倍，這將極大改善企業(yè)的收益性。技術(shù)能力和生產(chǎn)能力均占優(yōu)的SK海力士，目前手中新一代HBM產(chǎn)品（HBM3、HBM3E）的訂單已覆蓋了明年的產(chǎn)能；三星電子也計劃在明年把HBM生產(chǎn)能力擴大到今年的2.5倍。

　　DDR5內(nèi)存也正成為韓國存儲半導(dǎo)體企業(yè)的核心產(chǎn)品。據(jù)全球市場調(diào)查企業(yè)Omdia透露，在整個DRAM市場，DDR5出貨量所占的比重將從今年的20.1%增加到2025年的40.5%。DDR5與DDR4相比，價格更高，產(chǎn)品的轉(zhuǎn)換將使企業(yè)的收益性進一步得到改善。事實上，以HBM3、高容量DDR5和高性能移動DRAM等為主打產(chǎn)品的SK海力士DRAM部門在三季度已實現(xiàn)扭虧為盈，只是受到需求增長緩慢的NAND閃存部門拖累，整體營收仍呈赤字狀態(tài)。

　　雖然半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體前景向好，但期待韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在今年四季度就實現(xiàn)扭虧為盈還為時尚早。韓國證券界預(yù)測，三星電子DS部門四季度仍將虧損1.3萬億韓元，而SK海力士同期虧損額將降至2000億韓元。不出意外，韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將在明年一季度迎來業(yè)績拐點。 （駐首爾記者 楊明）

　　轉(zhuǎn)自：經(jīng)濟日報

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