中國存儲器產(chǎn)業(yè)如何彎道超車？

7月14日，有可靠人士向《中國電子報》記者透露了紫光集團向半導體存儲巨頭美國美光科技公司發(fā)出全面收購邀約的消息。據(jù)悉，這是一筆總價約230億美元的收購邀約，而此前，中國企業(yè)還未曾出現(xiàn)過如此大手筆的收購意向。

彭博社稱美光科技發(fā)言人否認收到紫光收購提議：“美光不會對傳言和揣測置評，但是我們可以確認，我們并沒有收到紫光集團收購提議?！辈徽撌召徢闆r具體如何，紫光集團顯然已經(jīng)初步顯露了其對半導體存儲產(chǎn)業(yè)的野心。

“通過并購這種國際巨頭，發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)是正確的，值得肯定。紫光集團具備超強的商業(yè)頭腦和資本運作能力，也值得表揚。但我認為美國政府不會批準這個并購，所以這個并購成功的可能性微乎其微。而且目前中國的并購有點過熱，引起了全球的警覺和抵制，這點要引起注意。”芯謀研究首席分析師顧文軍向《中國電子報》記者指出。

存儲器對于中國來說是個特大難題

存儲器產(chǎn)業(yè)正是中國目前大力推進的重要芯片領域。2014年6月發(fā)布的《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》中強調(diào)，要開發(fā)基于新業(yè)態(tài)、新應用的新型存儲等關鍵芯片產(chǎn)業(yè)，搶占未來產(chǎn)業(yè)發(fā)展制高點。

中國對存儲芯片的需求量很大。根據(jù)賽迪顧問數(shù)據(jù)，中國存儲芯片的市場規(guī)模目前占國內(nèi)總芯片市場比重的23.7%，超過CPU和手機基帶芯片。根據(jù)DRAMeXchange的數(shù)據(jù)，2014年中國DRAM消化量達到47.89億顆（2Gbequiv），總計102億美元，占全球產(chǎn)能的19.2%。

然而，在寡頭競爭的大格局下，存儲器的發(fā)展對于中國來說是個特大難題?！爸袊暗拇鎯ζ鳟a(chǎn)業(yè)幾乎為零?！笔謾C中國聯(lián)盟秘書長王艷輝向《中國電子報》記者指出。

從2014年6月《綱要》發(fā)布至今，規(guī)劃中的IC設計、制造、封測領域都有了相應進展，目前也只有存儲器領域遲遲沒有大動作。

“中國想要發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)只有兩種方式，一種是通過收購獲得關鍵技術，一種自己選擇性地發(fā)展突破?！盙artner（中國）研究總監(jiān)盛陵海告訴《中國電子報》記者。

此前，經(jīng)歷了一番波折完成對芯成半導體（ISSI）收購的武岳峰資本選擇的就是收購的路徑，只不過ISSI所擅長的SRAM并不是目前最主流的存儲器市場。對于去年相繼拿下展訊和銳迪科、今年又將惠普旗下華三通信納入麾下的紫光集團來說，收購也顯然是最駕輕就熟的路徑。而美光也是一個好的選擇。

“國際主流的3家存儲器廠商中，三星電子和SK海力士是韓國公司，與美光科技這樣的美國公司相比，存儲器產(chǎn)業(yè)對韓國政府更重要，因此中國企業(yè)想從他們那邊通過收購得到技術很難，才會選擇美光?！笔⒘旰Ｏ颉吨袊娮訄蟆酚浾咧赋觥?/p>

美光科技占據(jù)了全球半導體存儲器的三分天下之一，目前存儲器產(chǎn)業(yè)最主流的DRAM和Flash都是美光所擅長的領域。其中，DRAM占據(jù)了美光2014年近70%的營收。根據(jù)iHS的數(shù)據(jù)，2014年美光科技在全球DRAM市場拿到了24.6%的市場份額，位居全球第三；而在NAND Flash市場，美光科技同樣以18.9%的市場份額位列第三。

從股價的表現(xiàn)來看，目前收購美光也是一個好時機。受到今年芯片獲利不佳、個人電腦市場需求停滯以及三星等公司的強力競爭影響，美光科技的業(yè)績有所惡化，股價也持續(xù)崩落。根據(jù)6月底美光科技發(fā)布的截至2015年6月4日的第三季度財報，其銷售額同比減少了3%，凈利潤同比減少了39%。

收購顯然是捷徑，但這并不意味著能夠成功。王艷輝指出，依據(jù)《外國投資與國家安全法案》，這筆收購要通過美國外國投資委員會的審批很難。盛陵海也表示，收購的操作沒那么簡單，真要收購價格也不會那么便宜，收購后如何運營好工廠也會是一個問題。

自主發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè) 以NAND Flash為突破口

“核心的技術靠買是很難買到的，中國還是要堅持腳踏實地，自我發(fā)展?！鳖櫸能娤蛴浾咧赋?。

由于發(fā)展主流存儲器產(chǎn)業(yè)必須要緊跟最先進制程，大筆資金長期投入的必要條件造成了發(fā)展產(chǎn)業(yè)的困難，但目前中國即將迎來能夠自主發(fā)展起來存儲器產(chǎn)業(yè)的機遇。

盛陵海告訴記者，在過去的兩三年內(nèi)，存儲器產(chǎn)業(yè)的供應量小于需求量，導致存儲器產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)了大幅度反彈。然而，盛陵海預測，從明年開始，半導體存儲器市場又會進入蕭條期，因此從時間點上來看，是中國切入存儲器產(chǎn)業(yè)較好的機會。

目前中國在發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)上也下了很大的決心。此前曾有媒體報道指出，武漢將被打造為中國發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)的首要重點區(qū)域，由中芯國際和武漢新芯聯(lián)手打造存儲芯片國家隊，并有可能募集到規(guī)模達240億美元的投資。

武漢新芯正是目前中國僅有的存儲芯片代工廠，其目前主要的業(yè)務是NOR Flash存儲器代工，目前月產(chǎn)能達到2萬片每月，其中NOR Flash占1萬片，BSI（背照式影像傳感器）占1萬片。而NOR Flash目前從整個存儲器產(chǎn)業(yè)格局來看，所占的市場比例很小。

“因此，我們把未來發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)的突破點選在了3D NAND Flash方面，目前的開發(fā)進展比較順利?！蔽錆h新芯副總李平告訴《中國電子報》記者。

選擇3D NAND Flash為突破口，武漢新芯顯然有著自己的考量。李平表示，目前從半導體存儲器的市場分割來看，DRAM和NAND Flash基本上是平分天下的局面，是主流市場。而武漢新芯在生產(chǎn)NOR Flash產(chǎn)品上的技術積累為研發(fā)NAND Flash奠定了基礎。從技術要循序發(fā)展的角度來看，NAND Flash是武漢新芯發(fā)展存儲器的最好切入點。

業(yè)內(nèi)專家也同樣看好以發(fā)展NAND Flash閃存為存儲器產(chǎn)業(yè)突破口。有半導體專家向《中國電子報》記者指出，DRAM產(chǎn)業(yè)太過成熟，目前發(fā)展DRAM的機會不多。相比較而言，發(fā)展Flash閃存，尤其是NAND Flash機會較大。隨著物聯(lián)網(wǎng)應用的發(fā)展，無論是數(shù)據(jù)庫還是各節(jié)點的終端都有大量的閃存需求。但是如果發(fā)展NAND Flash，一定要走IDM（整合元件制造）的模式，而不能局限于代工。這也是目前存儲器巨頭們的主流模式。

盛陵海則認為，中國要想發(fā)展起來存儲器產(chǎn)業(yè)，不一定要從最主流的DRAM和NAND Flash領域入手，可以逆序思考，選擇小眾的利基市場。利基市場的成本競爭不激烈，可先構建起技術團隊，積累經(jīng)驗，等到出現(xiàn)存儲器技術轉(zhuǎn)換的時機，就可以有機會彎道超車。（本報記者 劉靜）

來源：中國電子報

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