存儲芯片作為最具有周期性的芯片品類之一,一向有著半導體行業(yè)的“晴雨表”之稱,但此次下行周期的下跌幅度和持續(xù)時間都超出了業(yè)界預期。近日,三星已經(jīng)通知分銷商拒絕以低于當前價格出售DRAM芯片,市場或將迎來觸底反彈?
降價不如減產(chǎn)
DRAM作為存儲芯片的第一大品類,占據(jù)了全球存儲市場超一半的份額,可由于消費電子市場下行,大大減少了對存儲器產(chǎn)品的需求,導致本次市場下行的幅度超乎想象。根據(jù)TrendForce集邦咨詢發(fā)布的數(shù)據(jù),2022年第四季度DRAM產(chǎn)業(yè)營收122.8億美元,環(huán)比下降32.5%,跌幅甚至超越第三季度的28.9%,已逼近2008年年底金融海嘯時單季36%的跌幅。預估2023年第一季度DRAM價格跌幅會收斂至13%~18%,但仍不見下行周期的終點。
如此冷峻的市場環(huán)境讓以存儲芯片為主要業(yè)務的廠商叫苦不迭,首當其沖的就是行業(yè)龍頭老大,占據(jù)約40%DRAM市場份額的三星。三星表示,2023年第一季度的合并銷售額約63萬億韓元(約合人民幣3267億元),同比下跌19%,合并營業(yè)利潤約6000億韓元(約合人民幣31.1億元),同比下跌95.8%--如此跌幅是時隔14年,也就是自2009年來第一次出現(xiàn)合并營業(yè)利潤跌破1萬億韓元的情況。而造成本次營收如此慘淡的原因是存儲芯片業(yè)務的進一步惡化。
在重重經(jīng)營壓力之下,一直號稱只降價不減產(chǎn)的三星,被迫發(fā)布聲明稱“將根據(jù)對公司已確保足夠數(shù)量以應對未來內存需求變化的評估,進行產(chǎn)線調整,將內存產(chǎn)量降低到有意義的水平,并優(yōu)化已經(jīng)在進行中的生產(chǎn)線運營?!边@是自1998年金融危機以來,三星時隔25年首次制定正式減產(chǎn)方案。
賽迪顧問集成電路高級分析師楊俊剛向《中國電子報》記者表示,從目前市場的價格來看,銷售價格已經(jīng)低于成本價,有的DRAM產(chǎn)品的價格已經(jīng)同比降低了52%。如果按照容量來算,基本處于歷史最低價格,但是由于下游市場需求疲軟,在銷量上并沒有明顯的提升?!敖祪r對市場銷售額的提升作用較小?,F(xiàn)在SK海力士、美光等存儲器領先廠商紛紛通過減少產(chǎn)量、降低資本投資、降薪裁員等方式來減少因銷售經(jīng)營所帶來的影響?!睏羁傉f道。
芯謀研究高級分析師張彬磊認為,三星、SK海力士、美光等大廠只要減產(chǎn),市場上的庫存短期內就不會上升,就可以達到擴大市場需求,回升市場價格的效果。
“三星此舉是正確的,SK海力士和美光應該立馬效仿,同時采取這個策略,這有助于DRAM市場回暖?!睆埍蚶谡f道。
產(chǎn)能將轉向高端?
另一個值得注意的地方是三星此次的減產(chǎn)只針對DDR4 DRAM,從而將更多產(chǎn)能轉向DDR5/LPDDR5。DDR5在性能上相對于DDR4具有較大的提升,主要表現(xiàn)在帶寬速度、單片芯片密度、工作頻率三個方面。因此,DDR5更適用于數(shù)據(jù)中心、元宇宙、AI等新興領域的服務器產(chǎn)品。半導體廠商削減過剩的DRAM產(chǎn)品,提前儲備未來趨勢產(chǎn)品,有利于庫存水位的調整。
半導體行業(yè)專家張先揚表示,DDR5/LPDDR5對比DDR4利潤空間和溢價空間更大,三星旨在通過改變產(chǎn)品結構以改善營收,也表現(xiàn)了三星對DRAM市場的樂觀預期。綜合來看,2024年上半年DRAM市場情況依然嚴峻,但跌幅已趨收窄,在各大Foundry限產(chǎn)和需求市場逐漸回暖的背景下,預計到2024年年末DDR5/LPDDR5將取代大部分DDR4,DRAM市場有望在2024年第三或第四季度回暖。
目前,三星、SK海力士和美光在DRR5 DRAM技術上的較量已經(jīng)進入白熱化,各方都在不斷推出新的技術和產(chǎn)品,并且都已經(jīng)進入市場。從合作對象來看,三大存儲芯片廠商在DDR5方面都已與英特爾和AMD等服務器處理芯片供應商合作,以便更好、更快地提高處理器芯片和存儲器芯片之間的兼容性。
除了DDR5,乘著AI領域發(fā)展東風的還有HBM DRAM。HBM對于高性能計算系統(tǒng)中的生成型AI運行起到至關重要的作用,因此受到了內存芯片行業(yè)的廣泛關注。目前最新的HBM3規(guī)格DRAM被認為是快速處理大量數(shù)據(jù)的理想產(chǎn)品。
2023年開年以來,三星、SK海力士的HBM訂單快速增加,價格也水漲船高。有消息稱,近期HBM3規(guī)格DRAM價格上漲了5倍。英偉達已經(jīng)將SK海力士的HBM3安裝到其高性能GPU H100上,而H100已用于ChatGPT服務器。
4月20日,SK海力士宣布,首次實現(xiàn)垂直堆疊12個單品DRAM芯片,成功開發(fā)出最高容量24GB的HBM3 DRAM新產(chǎn)品。SK海力士的工程師通過應用先進的批量回流模壓填充(MR-MUF)技術,提高了新產(chǎn)品的工藝效率和性能穩(wěn)定性,同時通過硅通孔(TSV)技術,將單個DRAM芯片的厚度降低了40%,達到了與16GB產(chǎn)品相同的堆疊高度水平。SK海力士有關人士表示:“這款新品的內存容量比前一代產(chǎn)品增加50%的24GB封裝產(chǎn)品,將在下半年向市場供應,以滿足由AI聊天機器人行業(yè)帶動的高端內存產(chǎn)品的需求。”
盡管HBM具有出色的性能,但與一般DRAM相比,其應用較少。這是因為HBM復雜的生產(chǎn)過程,平均售價至少是DRAM的3倍。但AI服務的擴展正在扭轉這樣的局面。據(jù)悉,目前已經(jīng)有超過2.5萬塊英偉達計算卡加入到了深度學習的訓練中。未來,隨著生成式AI需求增長,HBM的需求也將呈現(xiàn)出上揚態(tài)勢。(記者 許子皓)
轉自:中國電子報
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