中移動(dòng)TD-LTE年底第二輪測(cè)試 商用面臨三大難題

11月26日消息，TD-LTE規(guī)模技術(shù)試驗(yàn)已取得階段性進(jìn)展，年底即將展開的第二階段測(cè)試，但是仍然有三大難題待解。

難題1 頻譜緊缺

盡管頻譜資源短缺是伴隨LTE及4G發(fā)展的長(zhǎng)期矛盾，但TD-LTE及后續(xù)演進(jìn)的頻譜需求將面臨比FDD更加嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)？特別是在低頻段領(lǐng)域，至今TDD的空白狀態(tài)，將成為TD-LTE及后續(xù)演進(jìn)的技術(shù)發(fā)展和實(shí)現(xiàn)國(guó)際化的嚴(yán)重障礙。

難題2 終端芯片及測(cè)試儀表

對(duì)芯片的基帶/多媒體/射頻一體化的需求已成趨勢(shì)，同時(shí)終端價(jià)格不斷下降，對(duì)于芯片環(huán)節(jié)的成本壓力也越來(lái)越大?？梢哉f(shuō)，對(duì)于TD-LTE而言，整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的最大難點(diǎn)還在于終端芯片環(huán)節(jié)。在TD-SCDMA的發(fā)展進(jìn)程當(dāng)中，終端芯片就被視為其難以突破的瓶頸。如今國(guó)內(nèi)TD-LTE規(guī)模技術(shù)試驗(yàn)想要實(shí)現(xiàn)融合、創(chuàng)新與國(guó)際化的發(fā)展思路，終端芯片的成熟度還明顯不足。鑒于TD-SCDMA芯片發(fā)展的經(jīng)驗(yàn)和教訓(xùn)，不論是中國(guó)移動(dòng)還是產(chǎn)業(yè)鏈廠商，都已提前進(jìn)行TD-LTE芯片的研發(fā)。截至目前，已有17家芯片廠商投身TD-LTE產(chǎn)業(yè)，但僅有海思、創(chuàng)毅視訊和Altair三家通過(guò)測(cè)試。

難題3 同頻干擾

在規(guī)模試驗(yàn)第一階段已經(jīng)對(duì)系統(tǒng)設(shè)備性能、核心網(wǎng)、無(wú)線網(wǎng)等性能進(jìn)行了測(cè)試后，TD-LTE組網(wǎng)成為下階段試驗(yàn)關(guān)注的重點(diǎn)。系統(tǒng)及規(guī)劃仿真顯示，同頻組網(wǎng)頻譜效率高于異頻組網(wǎng)30%～70%，因此目前TD-LTE規(guī)模試驗(yàn)網(wǎng)的測(cè)試驗(yàn)還主要是基于同頻進(jìn)行，同頻組網(wǎng)需要在小區(qū)間干擾協(xié)調(diào)，保持邊緣速率在一定程度的下降等方面還要做進(jìn)一步的研究工作。

來(lái)源：搜狐IT

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