二硫化鉭超導(dǎo)薄膜研制成功

　　本報(bào)訊近日，中科院上海硅酸鹽研究所與中科院上海微系統(tǒng)所、北京大學(xué)等合作，通過化學(xué)剝離成單層二硫化鉭納米片并將納米片抽濾自組裝而重新堆疊成二硫化鉭薄膜。該薄膜打破了原母體的晶體結(jié)構(gòu)，形成了豐富的均質(zhì)界面，并獲得比母體材料更高的超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度和更大的上臨界場(chǎng)。

　　據(jù)了解， 目前超導(dǎo)材料已應(yīng)用于包括超導(dǎo)電線、 醫(yī)院使用的超導(dǎo)核磁共振成像儀以及磁懸浮列車等領(lǐng)域。 但由于目前超導(dǎo)材料的最高超導(dǎo)溫度在零下100℃以下，成本仍然較高，難以大面積推廣。因此，追求更高溫甚至室溫超導(dǎo)具有極高的實(shí)際價(jià)值。

　　上海硅酸鹽所碩士研究生潘杰表示，目前由于缺乏理論支持，高溫超導(dǎo)的探索步履維艱。 傳的以弱電—聲相互作用為前提BCS理論難以解釋40K以上導(dǎo)的機(jī)理，因此需要提出更完備更深刻的理論來解釋高溫超導(dǎo)象。 界面超導(dǎo)的發(fā)現(xiàn)是近幾年導(dǎo)領(lǐng)域的一個(gè)新亮點(diǎn)。然而，界調(diào)控六方相二硫化鉭（2H-TaS的電子結(jié)構(gòu)卻未見報(bào)道。

　　為在二硫化鉭中構(gòu)筑豐富界面， 研究團(tuán)隊(duì)通過采用堿金離子插層剝離的方法獲得單層硫化鉭納米片， 并得到重堆疊二硫化鉭薄膜。 他們進(jìn)一步研發(fā)現(xiàn)，重堆疊后的二硫化鉭薄膜因?qū)优c層之間存在扭曲， 界面電子的離域化程度增強(qiáng)， 導(dǎo)致米面附近的電子態(tài)密度增加，導(dǎo)特性增強(qiáng)。 （仲科）

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